PBRN113ZS,126 datasheet

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

• Маркировка
  PBRN113ZS,126
• Производитель
  NXP Semiconductors
• Описание
  NXP Semiconductors PBRN113ZS,126 Current - Collector (ic) (max): 800mA Current - Collector Cutoff (max): 500nA Dc Current Gain (hfe) (min) @ Ic, Vce: 500 @ 300mA, 5V Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Power - Max: 700mW Resistor - Base (r1) (ohms): 1K Resistor - Emitter Base (r2) (ohms): 10K Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (max) @ Ib, Ic: 1.15V @ 8mA, 800mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (max): 40V Other Names: 934059136126, PBRN113ZS AMO
• Количество страниц
  17 шт.
• Формат
  PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)
• Размер файла
  149,46 KB

PBRN113ZS,126 datasheet скачать

PBRN113ZS,126 datasheet